滨松在全球率先成功批量生产可检测波长为 14.3 μm 的中红外光的复合光电半导体,而无需使用 RoHS 指令限制的有害物质。
该新型复合光电半导体将于 2019 年 9 月 2 日起售。

我们通过利用多年自主开发的化合物光电半导体制造技术,在世界上率先成功批量生产不含有害汞 (Hg) 和镉 (Cd)、但能够检测波长为 14.3 微米(微米,缩写为 μm,为百万分之一米)的中红外光的化合物光电半导体(II 类超晶格红外探测器)*。汞和镉是用于中红外探测器的常见材料,但根据欧盟发布的 RoHS 指令,属于限制物质,该指令禁止在欧盟市场上销售使用某些有害物质的电气和电子产品。因此,我们的新产品可能会取代目前可用的含有受限物质的中红外探测器。我们的新产品将证明是依靠中红外光识别空气、食品和药物中所含物质的分析仪器的理想选择。我们于 2019 年 9 月 2 日开始向国内外分析仪器制造商销售此新产品。
我们的新产品将于 9 月 4 日至 6 日在 Makuhari Messe 举办的 3 天 JASIS 2019 展会上展出。这是亚洲最大型的最新分析和科学仪器展览会。
 

*II 类超晶格红外探测器是一种化合物光电半导体,其独特的结构由两种不同材料的薄膜组成,这两种材料交替层压在基板上以形成感光层。

特点

1) 批量生产可检测波长长达 14.3μm 的红外探测器

在外延生长过程中,向基板供应 InAs 和 GaSb 的量和时间得到了精确控制,温度、压力等生产条件也得到了优化。由此建立了一种生产技术,用于对基板上厚度均匀的薄膜进行精确分层,从而得以批量生产截止波长为 14.3 μm 的 II 类超晶格红外探测器。
 

2) 不含 RoHS 指令限制的物质

本产品不使用 RoHS 指令限制使用的汞或镉等物质。因此,有望使用本产品替代当前集成到使用中红外光的分析仪器中、但含有 RoHS 指令限制物质的光电传感器。
 

主要规格

(Tchip = -196°C)

参数 P15409-901 单位
受光面 Φ0.1 mm
截止波长 14.3 μm
比探测能力 1.6 × 1010 cm・Hz1/2/W
感光灵敏度 2.6 A/W

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