常见问题 | 硅 APD

S12023-02/-05/-10/-10A、S12051、S12086 和 S3884 近红外 APD（低偏压操作）可作为标准产品提供，分为 80 至 120 V、120 至 160 V 和 160 至 200 V 三个等级。

只需大约几百微安的输出电流即可导致线性度劣化。

APD 增益率是光电流乘以施加高偏压与无倍增时所产生的光电流之比。

低偏压操作型和低温度系数型使用的封装相同。但由于低偏压操作型具有较大的温度系数，因此其结电容在低温下变大，导致响应速度下降，因此工作温度的下限被指定为 -20°C。

APD 属于半导体器件，与光电倍增管相比，具有更高的量子效率。APD 还可以提供较小的生产尺寸，不受磁场影响，具有宽动态范围。当然 APD 也有缺点，例如噪声大、倍增系数低，因此光电倍增管在检测极低光量时具有优势。

常用的方法是监测 PN 连接处的正向电压或使用热敏电阻来检测温度波动。然后将反馈应用于 APD 偏压以保持增益率恒定。另一种方法是以恒定电流驱动 APD，并使偏压根据温度波动自动调节。

PIN 光电二极管的探测限由负载电阻热噪声和放大噪声决定。APD 具有内部增益效应，可将信号倍增至高于热噪声的水平，从而实现高速和低噪声的光探测。

要制造大受光面的硅 APD，需要相应的工艺技术以使整个受光面的增益率均匀。目前可提供高达 10 × 10 mm 的受光面 (S8664-1010)。

我们支持需要特殊受光面尺寸、轮廓、增益率变化和元件间隙等要求的 APD 阵列产品定制订单。S8550-02（4 × 8 个元件）作为标准产品提供。

在 S2381 近红外 APD（低偏压操作）上，典型的 NEP（噪声等效功率）约为 5×10^-16 W/Hz^1/2。