杂志/会议信息 | 隐形切割™ 技术

Stealth Dicing(隐形切割)技术是一种使用激光的激光切割技术,具有全新的概念。由于“完全干燥工艺”、“无截口损失”、“无切屑”、“高弯曲强度”等特点,该技术适用的器件范围将扩大到包括 MEMS 器件和存储器件等。

杂志信息

国际杂志

  • H. Kiyota、K. Hara、M. Jankowski 与 M. M. Fejer 著,“对单晶硅纳秒脉冲激光处理导致的亚表面改性及裂纹形成进行的数值模拟与验证”,J. Appl. Phys.,第 127 卷,编号:8, 85106,2020 年 2 月,doi:10.1063/1.5130701。
  • Y. Takiguchi、M. Oyaizu、M. Nakano、T. Inoue 与 H. Toyoda 著,“使用波前调制抑制纳秒内聚焦脉冲激光切割产生的背后损伤”,Opt. Eng.,第 56 卷,编号:7,页码:1–7,2017 年 7 月,doi:10.1117/1.OE.56.7.077109。
  • M. Kumagai、N. Uchiyama、E. Ohmura、R. Sugiura、K. Atsumi 与 K. Fukumitsu 著,“先进的半导体晶圆切割技术 - 隐形切割”,IEEE Trans. Semicond. Manuf.,第 20 卷,编号:3,页码:259–265,2007 年,doi:10.1109/TSM.2007.901849。

杂志(日本)

  • E. Ohmura、M. Kumagai、K. Fukumitsu、M. Nakano、N. Uchiyama 与 H. Morita 著,“可渗透脉冲激光引起的超薄硅晶圆内部改性”,J. Japan Soc. Precis. Eng.,第 74 卷,编号:3,页码:275–281,2008 年,doi:10.2493/jjspe.74.275。
  • E. Ohmura、K. Fukumitsu、M. Kumagai 与 H. Morita 著,“使用纳秒激光分析单晶硅的内部改性层形成机理”,Trans. Japan Soc. Mech. Eng. Ser. C,第 74 卷,编号:738,页码:446–452,2008 年,doi:10.1299/kikaic.74.446。

会议信息

国际会议

  • N. Suzuki、T. Nakamura、Y. Kondo、S. Tominaga、K. Atsumi 与 T. Ohba 著,“使用隐形切割的超薄晶圆减损分离”,2020 IEEE 第 70 届电子元件与技术会议 (ECTC),2020 年,页码:1043–1049,doi:10.1109/ECTC32862.2020.00169。
  • N. Suzuki、K. Atsumi、N. Uchiyama 与 T. Ohba 著,“使用隐形切割改善超薄晶圆的零切口分离生产量”,2018 第 13 届国际微系统、封装、装配和电路技术会议 (IMPACT),2018 年,页码:55–57,doi:10.1109/IMPACT.2018.8625832。
  • Y. Nara 与 H. Kiyota 著,“对隐形切割形成内部空洞的直接观察”,Proc.SPIE,2018 年 2 月,第 10520 卷,doi:10.1117/12.2288238。
  • Y. Nara 和 H. Kiyota 著,“使用 SWIR 激光实现高通量硅晶圆切割的隐形切割技术”,Proc.SPIE,2018 年 2 月,第 10520 卷,doi:10.1117/12.2289235。
  • N. Suzuki、X. Shiqin、K. Atsumi、N. Uchiyama 与 T. Ohba 著,“能提高芯片生产率的激光切割”,2016 第 11 届国际微系统、封装、装配和电路技术会议 (IMPACT),2016 年,页码:62–64,doi:10.1109/IMPACT.2016.7799992。
  • Y. Takiguchi、N. Matsumoto、M. Oyaizu、J. Okuma、M. Nakano、T. Sakamoto、H. Itoh 与 T. Inoue 著,“激光切割系统的性能提升 I:使用空间光调制器对厚硅晶圆进行高速度、高质量的处理”,Proc.SPIE,2013 年 3 月,第 8608 卷,doi:10.1117/12.2003639。
  • Y. Takiguchi、N. Matsumoto、M. Oyaizu、J. Okuma、M. Nakano、T. Sakamoto、H. Itoh 与 T. Inoue 著,“激光切割的性能提升 II:使用多束光束以及由纯相位空间光调制器实现的同步像差校正来增强切割率”,Proc.SPIE,2013 年 3 月,第 8608 卷,doi:10.1117/12.2003649。
  • E. Ohmura、Y. Kawahito、K. Fukumitsu、J. Okuma 与 H. Morita 著,“分析因可渗透脉冲激光辐射导致的硅内部裂纹扩展:有关隐形切割处理机理的研究”,Proc.SPIE,2011 年 2 月,第 7996 卷,doi:10.1117/12.887431。

会议(日本)

  • D. Kawaguchi、Y. Sekimoto、K. Hara 与 W. Matsudaira 著,“使用隐形切割制造无裂纹设备”,Proc. Mech. Eng. Congr. 日本,第 2018 卷,页码:J2230101,2018 年,doi:10.1299/jsmemecj.2018.J2230101。
  • D. Kawaguchi、Y. Sekimoto、H. Kiyota、K. Hara 与 Y. Igasaki 著,“内吸收型激光切割带来机械可靠性的提升”,Proc. Mech. Eng. Congr. 日本,第 2017 卷,页码:J2210202,2017 年,doi:10.1299/jsmemecj.2017.J2210202。

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