硅微条探测器

描述硅微条探测器中的耗尽电压。

与采用相同基板制成的平面型二极管相比,硅微条探测器的耗尽电压较大。对于微条间距 P 和微条扩散宽度 W,P 越大或 W/P 越小,耗尽电压将会越大。

交流读出式硅微条探测器可以支持哪些偏置电阻值?

偏置电阻由多晶硅电阻器形成,可根据需要在几百千欧至几十兆欧(产品定制)的范围内进行调节。

交流读出式硅微条探测器可以支持哪些耦合电容值?

耦合电容由微条扩散层和铝读出电极之间的绝缘膜(耦合膜)决定。该电容可以根据需要在约 120 pF/mm2 至 180 pF/mm2(产品定制)的范围内进行调节,耦合膜耐受电压越高,实现较大耦合电容的难度越大。例如,假设耦合膜耐受电压为 100 V,则耦合电容将为约 140 pF/mm2 或更低。