特性 | 宽波长带类型

高光利用率

LCOS-SLM 具有高光利用率,该效率表示为 0 阶衍射光强与入射光强的比率。光利用率主要取决于 CMOS 芯片上形成的像素结构和振镜反射率造成的衍射损耗量。通过利用我们先进的 CMOS 技术,同时密切关注其设计,我们已将衍射损耗量降到 5% 以下。宽波长带类型采用铝振镜,故其反射率略低于使用介电多层薄膜振镜的其他类型,但可在广泛的波长范围内使用。


类型编号
宽波长带类型
-01 -07 -08
光源波长 (nm) 633 1064 1550
光利用率 (%) 76 80 86

大相位调制特性和高线性

我们的 LCOS-SLM 在支持的波长范围内提供超过 2π 弧度的相位调制。各种类型在发运之前都会进行校准,以确保特定波长范围内的高精度和高线性调制特性。图 1 显示了典型的相位调制特性。可以看出,2π 弧度或以上的相位调制是通过高线性获得的。我们还确认,有效区域内 95% 像素的相位调制在 ±2σ 以内,仅指示微小变化。

图 1:相位调制特性(代表性例子)

高衍射效率

为最大限度地减少光损耗量,我们的 LCOS-SLM 优化了光学设计,故可提供接近理论值的高衍射率。图 2 为显示多级相位光栅时获得的衍射点图像。例如图 2 (c) 所示,多级相位光栅使仅按 +1 阶集中衍射点成为可能,从而实现高光利用率。图 3 还显示了典型的衍射效率。这里的衍射效率是不执行调制时(无图案显示)1 阶衍射光强与 0 阶光强的比率。

图 2:衍射点图像

图 3:衍射效率(代表性例子)

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