InGaAs 线阵图像传感器

G14237-512WA

近红外传感器(0.85 至 1.45 μm)

G14237-512WA 是一款 InGaAs 线阵图像传感器,设计用于使用 1064 nm 激光器进行拉曼光谱测量。该产品专为测量拉曼光谱范围而设计,截止波长相比前代产品 (G11508-512SA) 有所减小,以实现低暗电流。该产品由 InGaAs 光电二极管阵列和 CMOS 芯片组成,包含电荷放大器、偏移补偿电路、移位寄存器和时序发生电路。电荷放大器由 CMOS 晶体管阵列组成,并连接到 InGaAs 光电二极管阵列的每个像素。每个像素的信号都在电荷积分模式下读出,在近红外区域实现了高灵敏度和稳定操作。采用密封封装,可靠性极佳。可使用外部电压将 CMOS 芯片上的信号处理电路设定为四种转换效率 (CE) 设置之一。


特点
- 低噪声,极低暗电流
   [1/10 or less than that of the previous product (cutoff wavelength: 1.7 μm)]
- 有四种转换效率可供选择
- 内置抗饱和电路
- 内置 CDS 电路
- 内置热敏电阻
- 操作方便(内置时序发生电路)
- 高分辨率:像素间距 25 μm

影像尺寸 12.8 x 0.5 mm
像素尺寸 25 x 500 μm
像素间距 25 μm
像素总数 512 像素
封装 金属
散热 两级电子冷却型
行速率(最大值) 9150 行/秒
灵敏度波长范围 850 至 1450 nm
暗电流(最大值) 2 pA
测量条件 除非另有说明,典型值 Ta = 25°C,Vdd = 5 V,INP = Vinp = PDN = 4 V,Fref = 1.2V,Vclk = 5V,f = 1 MHz,CE = 16 nV/e-

光谱灵敏度特性

外形尺寸图(单位:mm)

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