F

Fano factor - 法诺因子

通过入射辐射在晶体中生成的电子空穴对的平均数量 (J) 由以下公式表示:$$ J = \frac{E}{ε} $$  E:辐射能量
 ε:生成电子空穴对所需的平均能量

在这种情况下,表示电子空穴对数量的统计波动的标准偏差(σ:法诺噪声)由以下公式表示:$$ \sigma = \sqrt{FJ\ } $$ 公式中的 F 是用于校正与帕松分布的偏移的系数,称为法诺因子。

FDA (floating diffusion amplifier) - FDA(浮动扩散放大器)

最常用于 CCD 输出部分的低噪声读出方法。滨松 CCD 使用此 FDA。

Fill factor - 填充因子

这是“不包括配线部分等的光电二极管面积” 与像素面积的比值。

Flip-chip bonding - 倒装芯片接合

一种将芯片倒置在封装或另一个芯片上进行电气连接,从而将芯片与连接到芯片上表面上电极的凸块(金属突起,如焊料)接合在一起的技术。芯片对芯片贴装允许更小的组件。

Frequency response - Image intensifier - 频率响应 - 图像增强器

这表示从荧光屏产生光发射度所需的输入照度,等于当光阴极面上的输入照度为零时获得的输入照度。这表示图像增强器的固有背景水平或可检测照度的下限。

FTTH (fiber to the home) - FTTH(光纤到户)

这是一个正在进行的计划,通过使用光纤作为从电话局延伸到每个家庭的电话用户线路,来构建高速宽带数据通信环境。FTTH 被视为用光纤取代所有用户线路的最终目标。根据进展阶段,实现该目标的各个步骤如下:FTTZ(光纤到小区)、FTTC/FTTP(光纤到路边/光纤到人行道)和 FTTA/FTTB/FTTO(光纤到公寓/光纤到楼/光纤到办公室)。

Full well capacity - 最大阱容

CCD 的饱和电荷量相当于可转移到相邻电位阱的信号电子数,因此也称为最大阱容 (FW)。饱和电荷量或最大阱容以电子数 (e-) 表示,特别是用于科学应用的 CCD。

CCD 的最大阱容由以下四个因素决定。
 

  • 1. 垂直移位暂存器饱和度(垂直最大阱容)
  • 2. 水平移位寄存器饱和度(水平最大阱容)
  • 3. 总阱饱和度(总最大阱容)
  • 4. 输出部分饱和度


在 CCD 面阵图像传感器应用中,每个像素的信号电荷单独输出,因此饱和度由垂直最大阱容决定。另一方面,水平最大阱容设计为在高于垂直最大阱容的水平下饱和,以实现线 binning(增加垂直像素信号)。总最大阱容由求和门(即最后的时钟脉冲门)形成,设计为大于水平最大阱容,以添加来自水平移位寄存器(像素拼接)的信号。

因此,作为电压导出的输出信号的饱和电压 Vsat 通常由以下公式给出:$$ Vsat = FW \cdot Sv. $$ $$ Sv(转换\系数) = \frac{uV}{e^-} $$

 

FWHM (full width at half maximum) - FWHM(半峰全宽)

用于描述正态分布(高斯分布)的宽度。FWHM 是正态分布半 (1/2) 最大值的全宽。