雪崩光电二极管 (APD)

APD 是通过施加反向电压产生的具有内部增益的光电二极管。较之于 PIN 光电二极管,它们具有更高的信噪比 (SNR)、快速响应、低暗电流和高灵敏度的特点。光谱响应范围通常在 200 至 1150 nm 范围内。

硅 APD 在紫外光到近红外光范围具有高灵敏度,适用于弱光探测。

硅 APD 阵列是一种传感器,将多个硅 APD 排列在单个封装中。

集成光电传感器(例如光电二极管或雪崩光电二极管 (APD))和从光电传感器读取信号的前端集成电路 (IC)的设备。适用于测距仪。

InGaAs APD 提供较高的近红外灵敏度,适用于弱光探测。

我们的模块通过集成在紧凑型解决方案中的低噪声放大器电路、高压电源和温度补偿电路,消除了 APD 操作的复杂性。

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