硅 APD 阵列

S8550-02

4 × 8 像元 APD 阵列,具有低噪声和增强的短波长灵敏度

S8550-02 是一款 APD(雪崩光电二极管)阵列,设计用于短波长检测,具有低噪声和低结电容的特点。S8550-02 还可在每个像元之间提供均匀的增益和较小的串扰。


特点
-在短波区域具有高灵敏度和低噪声
-低结电容
-针对蓝光探测进行了优化
-各像元之间呈现均匀增益和低串扰变化
-无磁

类型 4×8 像元阵列
受光面 1.6 × 1.6 mm
封装 陶瓷
最大灵敏度波长(典型值) 600 nm
灵敏度波长范围 320 至 1000 nm
暗电流(最大值) 10 nA
截止频率(典型值) 250 MHz
结电容(典型值) 9 pF
击穿电压(典型值) 400 V
击穿电压温度系数(典型值) 0.78 V/°C
增益率(典型值) 50
测量条件 Ta = 25°C,最大灵敏度波长:M = 50,暗电流:每 1 个像元,M = 50,结电容:每 1 个像元,M = 50,f = 10 kHz,除非另有说明

外形尺寸图(单位:mm)

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