硅 APD

S2384

低偏压操作,适用于 800 nm 波段


特点
-在低偏压条件下稳定操作
- 高速响应
-高灵敏度和低噪声

类型 近红外型
(低偏压操作)
受光面 φ3 mm
封装 金属
封装类别 TO-5
最大灵敏度波长(典型值) 800 nm
灵敏度波长范围 400 至 1000 nm
感光灵敏度(典型值) 0.5 A/W
暗电流(最大值) 10 nA
截止频率(典型值) 120 MHz
结电容(典型值) 40 pF
击穿电压(典型值) 150 V
击穿电压温度系数(典型值) 0.65 V/°C
增益率(典型值) 60
测量条件 典型值 Ta = 25°C,除非另有说明,
感光灵敏度:λ = 800 nm,M = 1

光谱灵敏度特性

外形尺寸图(单位:mm)

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