硅 APD

S8664-30K

短波长类型 APD


特点
-在可见光波段具有高灵敏度
-低噪声
-高增益
-低电容

类型 短波长类型
(低结电容)
受光面 φ3 mm
封装 金属
封装类别 TO-8
最大灵敏度波长(典型值) 600 nm
灵敏度波长范围 320 至 1000 nm
感光灵敏度(典型值) 0.24 A/W
暗电流(最大值) 15 nA
截止频率(典型值) 140 MHz
结电容(典型值) 22 pF
击穿电压(典型值) 400 V
击穿电压温度系数(典型值) 0.78 V/°C
增益率(典型值) 50
测量条件 典型值 Ta = 25°C,除非另有说明,
感光灵敏度:λ = 420 nm,M = 1

光谱灵敏度特性

外形尺寸图(单位:mm)

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