InGaAs 面阵图像传感器

G16563-0909T

640 × 512 像素近红外二维图像传感器
(光谱响应范围:1.3 μm 至 2.15 μm)

 

G16561~G16564-0909T 具有混合结构,由 CMOS 读出电路(ROIC:读出积分电路)和背照式 InGaAs 光电二极管组成。
每个像素都由一个 InGaAs 光电二极管和一个 ROIC 组成,通过铟柱进行电气连接。ROIC 中的时序发生电路提供模拟信号输出,只需提供数字输入即可获得这些输出。G16561~G16564-0909T 具有 640 × 512 像素,以 20 μm 的间距排列。入射到 InGaAs 光电二极管上的光转换为电信号,然后通过铟柱输入到 ROIC 中。ROIC 中的电信号转换为电压信号,然后通过移位寄存器从视频线中顺序输出。G16561~G16564-0909T 采用金属封装和一个三级电子制冷器密封在一起,可实现稳定的运行。与传统产品相比,动态范围增加了一倍多,并增加了边积分边读出 (IWR) 和多行读出功能。

 

特点
- 动态范围:3500
- 4 端口模拟输出
- 帧速率:最高 116 帧/秒(全行读出模式,积分时间=8.59 ms,IWR 操作)
- 低暗电流
- 可以运行边积分边读出功能和先积分后读出功能
- 多行读出功能
- 操作简单(内置时序发生电路)
- 三级电子冷却型

影像尺寸 12.80 mm × 10.24 mm
像素尺寸 20 μm × 20 μm
像素间距 20 μm
有效像素数 640 × 512
封装 金属
散热 三级电子冷却
帧速率(最大值) 116 帧/秒
光谱响应范围 1300 nm 至 2150 nm
最大灵敏度波长(典型值) 1950 nm
暗电流(典型值) 3 pA
测量条件 Ta=25 ℃,Tchip=-20 ℃,Vdd1=5 V,Vdd2=3.3 V,Vpdn=3.18 V,Vinp=3.1 V,Vrst=1.7 V,fop=50 MHz

光谱灵敏度特性

外形尺寸图(单位:mm)

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