InGaAs 线阵图像传感器

G11476-256WB

近红外传感器(0.9 至 2.05 μm)

G11475 至 G11478 系列是一种 InGaAs 线阵图像传感器,设计用于近红外多通道分光光度测定。这些线阵图像传感器由 InGaAs 光电二极管阵列和电荷放大器、偏移补偿电路、移位寄存器和时序发生电路在一个 CMOS 芯片上组成。电荷放大器配置有 CMOS 晶体管阵列,并连接到 InGaAs 光电二极管阵列的各个像素。由于每个像素的信号都在电荷积分模式下读出,因此在近红外区域实现了高灵敏度和稳定操作。这些传感器在高增益下具有比前代产品更高的数据率和更好的线性度特性。采用密封封装,可靠性极佳。CMOS 芯片上的信号处理电路支持使用外部电压从两种可用类型中选择转换效率 (CE)。


特点
- 低噪声、低暗电流
- 有两种转换效率可供选择
- 内置抗饱和电路
- 内置 CDS 电路
- 内置热敏电阻
- 操作方便(内置时序发生电路)

影像尺寸 12.8 x 0.25 mm
像素尺寸 50 x 250 μm
像素间距 50 μm
像素总数 256 像素
封装 金属
散热 两级电子冷却型
行速率(最大值) 17200 行/秒
灵敏度波长范围 900 至 2050 nm
暗电流(最大值) 40 pA
测量条件 典型值 Ta = 25°C,除非另有说明,Tchip = -20°C

光谱灵敏度特性

外形尺寸图(单位:mm)

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Type no. Image size Pixel size Pixel pitch Number of total pixels Line rate (max.) Spectral response range
G9206-256WB 12.8 × 0.25 mm 50 × 250 μm 50 μm 256 pixels 1910 lines/s 900 to 2050 nm

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