InGaAs 线阵图像传感器

G12230-512WB

采用两个 InGaAs 芯片(截止波长:1.65 μm、2.15 μm)
近红外图像传感器(0.95 μm 至 2.15 μm)

 

G12230-512WB 是为近红外多通道分光光度测定设计的 InGaAs 线阵图像传感器。
两个具有不同截止波长的 InGaAs 芯片非常精确地串联排列。G12230-512WB 在宽光谱响应范围内提供高信噪比。CMOS 芯片包括电荷放大器、移位寄存器和时序发生电路。电荷放大器配置有 CMOS 晶体管阵列,并连接到 InGaAs 光电二极管阵列的各个像素。由于每个像素的信号都在电荷积分模式下读出,因此在宽光谱响应范围内实现了高灵敏度和稳定操作。采用密封封装,可靠性极佳。CMOS 芯片上的信号处理电路支持使用外部电压从两种可用类型中为您的用途选择理想的转换效率 (CE)。


■特点
- 采用两枚 InGaAs 芯片
- 有两种转换效率可供选择
- 内置抗饱和电路
- 内置 CDS 电路
- 内置热敏电阻
- 操作方便(内置时序发生电路)
- 高分辨率:像素间距 25 μm

影像尺寸 12.8 mm × 0.25 mm
像素尺寸 25 μm × 250 μm
像素间距 25 μm
有效像素数 254 + 254
封装 金属
散热 两级电子冷却型
行速率(最大值) 9150 行/秒
灵敏度波长范围 950 nm 至 2150 nm
最大灵敏度波长(典型值) 1950 nm
暗电流(最大值) 2 pA (1~254 ch)
50 pA (259~512 ch)
测量条件 Ta = 25°C,Td = -20°C,Vdd = 5 V,INP = Vinp = PDN = 4 V,Fvref = 1.2V,Vφ = 5V,f = 1 MHz

光谱灵敏度特性

外形尺寸图(单位:mm)

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