InGaAs 线阵图像传感器

G14006-512DE

单视频线(512 像素)近红外图像传感器(1.12 至 1.9 μm)

G14006-512DE InGaAs 线阵图像传感器设计用于异物检查设备。该线阵图像传感器由 InGaAs 光电二极管阵列和 CMOS 芯片组成,包含电荷放大器阵列、偏移补偿电路、移位寄存器和时序发生电路。InGaAs 光电二极管阵列和 CMOS 芯片通过铟柱进行电气连接。该电荷放大器阵列由连接到 InGaAs 光电二极管阵列各个像素的 CMOS 晶体管组成。每个像素的信号在电荷积分模式下读出,以在近红外光谱范围内实现高灵敏度和稳定的操作。CMOS 芯片上的信号处理电路提供两种转换效率 (CE) 级别,可通过外部电压进行选择,以满足用途需求。


特点
- 单视频线(512 像素)
- 高速数据率:最大 5 MHz
- 两种转换效率等级可供选择
- 像素尺寸:25 × 25 μm
- 内置温度传感器
- 像素之间的线性度变化很小
- 室温运行

影像尺寸 12.8 x 0.025 mm
像素尺寸 25 x 25 μm
像素间距 25 μm
像素总数 512 像素
封装 陶瓷
散热 非冷却型
行速率(最大值) 8150 行/秒
灵敏度波长范围 1120 至 1900 nm
暗电流(最大值) 10 pA
测量条件 典型值 Ta = 25°C,除非另有说明

光谱灵敏度特性

外形尺寸图(单位:mm)

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