硅光电二极管阵列

S11212-021

适用于 X 射线非破坏性检测的背照式光电二极管阵列

S11212-021 是一款背照式 16 像元光电二极管阵列,专为无损 X 射线检查而设计。与前代产品(S5668 系列)相比,它具有更高的灵敏度均匀性和更小的光电二极管像元变化。背照式光电二极管阵列也易于处理,并且易于连接到闪烁体,而不必担心导线损坏,因为入射光侧没有焊线和受光面。S11212-021 可更换 S5668 系列,因为其封装尺寸和管脚分配相同。


特点
-光谱响应范围:340 至 1100 nm
-像元尺寸:1.175 (W) × 2.0 (H) mm/单像元
-像元间距:1.575mm( × 16 像素)
-安装基板尺寸:25.4 (W) × 20.0 (H) mm
-通过多个阵列实现狭长形状
-支持双能量成像(用于上下两层组合时。)

注意

本产品的芯片未密封且会外露。芯片上的电极等部件不受外壳或窗口的保护,因此与普通产品相比,在操作过程中需要特别小心。
使用本产品之前,请务必阅读下文所述的“Precautions / Unsealed products”。

详细参数

像元尺寸(每个像元) 1.175 × 2.0 mm
像元数 16
封装 玻璃环氧树脂
封装类别 未密封
闪烁体类型
制冷 非冷却型
反向电压(最大值) 10 V
灵敏度波长范围 340 至 1100 nm
最大灵敏度波长(典型值) 920 nm
感光灵敏度(典型值) 0.61 A/W
暗电流(最大值) 30 pA
上升时间(典型值) 6.5 μs
结电容(典型值) 40 pF
备注 本光电二极管阵列本身不用作 X 射线探测器。应在用户侧添加适当的闪烁体或磷光片。
测量条件 Ta = 25°C,每个像元,感光灵敏度:λ = λp,暗电流:VR=10 mV,上升时间:VR = 0 V,结电容:VR = 0 V

外形尺寸图(单位:mm)

相关文档

请联系我们获取更多信息。

  • 资料索取
  • 价格咨询
  • 产品货期
  • 产品定制
  • 技术支持
  • 其他

联系我们