硅光电二极管阵列

S12363-021

适用于 X 射线非破坏性检测的背照式光电二极管阵列(像元间距:2.5 mm)

S12363-021 是一款背照式 16 像元光电二极管阵列,专为无损 X 射线检查而设计。背照式光电二极管阵列也易于处理,并且易于连接到闪烁体,而不必担心导线损坏,因为背面没有焊线和受光面。


特点
-光谱响应范围:340 至 1100 nm
-像元尺寸:2.2 (W) × 2.7 (H) mm/单像元
-像元间距:2.5 mm(× 16 像素)
-安装基板尺寸:40.4 (W) × 20.0(H) mm
-通过多个阵列实现狭长形状
-支持双能量成像(用于上下两层组合时。)

注意

本产品的芯片未密封且会外露。芯片上的电极等部件不受外壳或窗口的保护,因此与普通产品相比,在操作过程中需要特别小心。
使用本产品之前,请务必阅读下文所述的“Precautions / Unsealed products”。

详细参数

像元尺寸(每个像元) 2.2 × 2.7 mm
像元数 16
封装 玻璃环氧树脂
封装类别 未密封
闪烁体类型
制冷 非冷却型
灵敏度波长范围 340 至 1100 nm
最大灵敏度波长(典型值) 920 nm
感光灵敏度(典型值) 0.61 A/W
暗电流(最大值) 50 pA
上升时间(典型值) 6.5 μs
结电容(典型值) 75 pF
备注 本光电二极管阵列本身不用作 X 射线探测器。应在用户侧添加适当的闪烁体或磷光片。
测量条件 Ta = 25°C,每个像元,感光灵敏度:λ = λp

外形尺寸图(单位:mm)

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