硅光电二极管阵列

S13620-02

适用于非破坏性 X 射线检查的背照式光电二极管阵列,适合平铺结构

S13620-02 是一款 8 × 8 像元硅光电二极管阵列,具有背照式结构,用于 X 射线非破坏性检测。背照式光电二极管阵列易于处理,因为入射表面没有焊线或受光面。您可以安装闪烁体,而无需担心损坏配线。此外,产品周围设计有最小的死区,以便并排排列多个产品。通道之间没有串扰。


特点
-二维(8 × 8 像元)阵列
-光谱响应范围:400 至 1100 nm
-封装尺寸:24 (W) × 24 (H) mm
-像元间距:3.0 mm × 64 像元
-易于与闪烁体耦合
  因为受光面没有配线,并且与闪烁体的光学耦合效率可以最大化,因此适用于非破坏性 X 射线检查设备。

注意

本产品的芯片未密封且会外露。芯片上的电极等部件不受外壳或窗口的保护,因此与普通产品相比,在操作过程中需要特别小心。
使用本产品之前,请务必阅读下文所述的“Precautions / Unsealed products”。

详细参数

像元尺寸(每个像元) 2.5 × 2.5 mm
像元数 64
封装 玻璃环氧树脂
封装类别 未密封
闪烁体类型
制冷 非冷却型
反向电压(最大值) 10 V
灵敏度波长范围 400 至 1100 nm
最大灵敏度波长(典型值) 960 nm
感光灵敏度(典型值) 0.61 A/W
暗电流(最大值) 300 pA
上升时间(典型值) 15 μs
结电容(典型值) 60 pF
备注 这些产品也可作为闪烁体安装产品(定制产品)提供,如 CsI (Tl)、磷光片、GOS 和 CWO。请就近咨询滨松销售办事处。
测量条件 Ta = 25°C,每个像元,感光灵敏度:λ = 920 nm

外形尺寸图(单位:mm)

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