硅光电二极管阵列

S11142-10

高灵敏度,直接检测低能量(1 keV 或以上)电子束

 

特点
- 以高灵敏度直接检测低能量(1 keV 或以上)电子束
- 高增益:300 倍
   高检测效率:72%(入射电子能:1.5 keV)
- 较大的受光面尺寸:14 × 14 mm
- 受光面中心的孔径为 φ2.0 mm
- 4 像元光电二极管
- 薄陶瓷封装
- 使用由较少磁性材料制成的配线板

注意

本产品的芯片未密封且会外露。芯片上的电极等部件不受外壳或窗口的保护,因此与普通产品相比,在操作过程中需要特别小心。
使用本产品之前,请务必阅读下文所述的“Precautions / Unsealed products”。

详细参数

受光面 14 × 14 mm
像元数 4
封装 陶瓷
封装类别 未密封
入射电子能范围(典型值) 1 至 30 keV
电子倍增系数(典型值) 300
反向电压(最大值) 20 V
暗电流(最大值) 60000 pA
截止频率(典型值) 5 MHz
结电容(典型值) 200 pF
测量条件 Ta = 25°C,VR = 5V

外形尺寸图(单位:mm)

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