InGaAs 面阵图像传感器

G17243-0808T

宽光谱响应范围(0.9 μm 至 2.55 μm)、
近红外二维图像传感器(320 × 256 像素)

 

G17242/G17243-0808T 是专为近红外高光谱成像设计的 InGaAs 面阵图像传感器。
具有不同截止波长的 InGaAs 芯片以高精度并联排列,以在宽光谱响应范围内实现高信噪比。它具有混合结构,由 CMOS 读出电路(ROIC:读出积分电路)和背照式 InGaAs 光电二极管组成。每个像素都由一个 InGaAs 光电二极管和一个 ROIC 组成,通过铟柱进行电气连接。ROIC 中的时序发生电路提供模拟信号输出,只需提供数字输入即可获得这些输出。

 

特点
- 动态范围:3500
- 4 端口模拟输出
- 帧速率:高达 503 帧/秒(全行读出模式,积分时间=1.98 ms,IWR 操作)
- 低暗电流
- 可以运行边积分边读出功能和先积分后读出功能
- 多行读出功能
- 操作简单(内置时序发生电路)
- 三级电子冷却型

影像尺寸 6.40 mm × 1.60 mm(1.7 μm 区)
6.40 mm × 1.60 mm(2.2 μm 区)
6.40 mm × 1.60 mm(2.6 μm 区)
像素尺寸 20 μm × 20 μm
像素间距 20 μm
有效像素数 320 × 240
封装 金属
散热 三级电子冷却
帧速率(最大值) 503 帧/秒
光谱响应范围 900nm 至 1650nm(1.7 μm 区)
1300nm 至 2150nm(2.2 μm 区)
1700 nm 至 2550 nm(2.6 μm 区)
最大灵敏度波长(典型值) 1550 nm(1.7 μm 区)
1950 nm(2.2 μm 区)
2250 nm(2.6 μm 区)
暗电流(典型值) 0.01 pA(1.7 μm 区)
3.0 pA(2.2 μm 区)
30 pA(2.6 μm 区)
测量条件 Ta=25 ℃,Tchip=-20 ℃,Vdd1=5.0 V,Vdd2=3.3 V,Vpdn=3.18 V,Vinp=3.1 V,Vrst=1.7 V,fop=50 MHz

光谱灵敏度特性

外形尺寸图(单位:mm)

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