带放大器的光电二极管阵列

S11866-64-02

结合了信号处理 IC 的光电二极管阵列

S11865/S11866 系列是结合了信号处理 IC 芯片的硅光电二极管阵列。与前代产品(S8865/S8866 系列)相比,X 射线耐受性有所提高。信号处理 IC 芯片采用 CMOS 工艺,并集成时序发生电路、移位寄存器、电荷放大器阵列、钳位电路和保持电路,通过将多个阵列排列成一排来配置外部电路。对于 X 射线检测用途,还可以提供在受光面贴有磷光片的型号。C9118 系列作为专用驱动电路提供(单独出售)。


特点
-数据率:最大 1 MHz
-大像元间距:1.6 mm 间距 × 64 通道
-5 V 电源供电
-使用电荷放大器阵列进行同步积分
-借助移位寄存器执行顺序读出
-零偏压光电二极管操作降低暗电流
-集成钳位电路可实现低噪声和宽动态范围
-集成时序发生电路允许在两个不同的脉冲时序下操作
-对于 X 射线检测,还可以提供在受光面贴有磷光片的型号
(S11865-64G/-128G, S11866-64G-02/-128G-02)

影像尺寸 102.4 x 1.6 mm
有效像素数 64 像素
像素尺寸 1.5 x 1.6 mm
像素间距 1.6 mm
电源电压 5 V
闪烁体
灵敏度波长范围 200 至 1000 nm
最大灵敏度波长 720 nm
最大行速率 14678 行/秒
电荷放大器反馈电容 0.5 pF
测量条件 典型值 Ta = 25°C,除非另有说明

光谱灵敏度特性

外形尺寸图(单位:mm)

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