带放大器的光电二极管阵列

S13885-128

结合了信号处理 IC 的光电二极管阵列

这是一款结合了信号处理 IC 芯片的硅光电二极管阵列。与前代产品(S11865/S11866 系列)相比,信号处理 IC 芯片有所改进,实现了更高的灵敏度。信号处理 IC 芯片采用 CMOS 工艺,并集成时序发生电路、移位寄存器、电荷放大器阵列、钳位电路和保持电路,从而简化了外部电路配置。可以通过将多个阵列排列成一排来配置一个狭长图像传感器。对于 X 射线检测用途,还可以提供在受光面贴有磷光片的型号。


特点
-数据率:最大 1 MHz
-像元间距:0.4 mm 间距 × 128 通道
-3.3 V 电源供电
-使用电荷放大器阵列的同步积分方法
-零偏压光电二极管操作降低暗电流
-集成钳位电路可实现低噪声和宽动态范围。
-集成时序发生电路允许在两个不同的脉冲时序下操作。
-对于 X 射线检测,还可以提供在受光面贴有磷光片的型号 (S13885-128G)

影像尺寸 51.2 x 0.6 mm
有效像素数 128 像素
像素尺寸 0.3 x 0.6 mm
像素间距 0.4 mm
电源电压 3.3 V
闪烁体
灵敏度波长范围 200 至 1000 nm
最大灵敏度波长 720 nm
最大行速率 7568 行/秒
电荷放大器反馈电容 0.125 pF
测量条件 典型值 Ta = 25°C,除非另有说明

光谱灵敏度特性

外形尺寸图(单位:mm)

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