InAsSb 光伏元件阵列

P15742-016DS

低串扰红外探测器阵列(适用于 5 μm 以下波段)
16 像元阵列

 

P15742 系列是一维 InAsSb 光伏元件阵列,采用陶瓷 DIP(双列直插式封装)。
它们具有背照式结构,可实现低串扰。此类产品是环保型红外探测器,不使用 RoHS 指令限制使用的铅、汞或镉等物质。


特点
- 高灵敏度
- 低串扰
- 符合 RoHS 的产品(无铅、汞、镉)

像元数 16
元件尺寸/元件 0.45 × 0.7 mm
封装 18 针陶瓷 DIP
散热 非冷却型
最大灵敏度波长(典型值) 4.1 μm
截止波长(典型值) 5.3 μm
感光灵敏度(典型值) 6.5 mA/W
比探测能力 D*(典型值) 1.0 × 109 cm・Hz1/2/W
噪声等效功率(典型值) 5.6 × 10-11 W/Hz1/2
上升时间(典型值) 15 ns
结电容(典型值) 40 pF
测量条件 Ta=25 ℃,比探测能力 D*:(λp,1200,1),结电容:VR = 0 V,f = 1 MHz

光谱灵敏度特性

外形尺寸图(单位:mm)

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