InGaAs APD

G14858-0020AA

InGaAs APD 可大大降低暗电流

这款 InGaAs APD(雪崩光电二极管)通过使用新的器件结构和改进处理,大大减少了现有产品的暗电流。G14858-0020AA 用于测距、微弱测光等。


特点
- 低暗电流
- 低电容
- 高灵敏度

像素数 1
受光面 φ0.2 mm
封装 金属
封装类别 TO-18
灵敏度波长范围 950 至 1700 nm
最大灵敏度波长(典型值) 1550 nm
感光灵敏度(典型值) 0.8 A/W
暗电流(最大值) 50 nA
截止频率(典型值) 900 MHz
结电容(典型值) 2 pF
击穿电压(典型值) 65 V
击穿电压温度系数(典型值) 0.1 V/°C
测量条件 Ta = 25°C,感光灵敏度:λ = 1.55 μm,M = 1

光谱灵敏度特性

外形尺寸图(单位:mm)

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