端点检测，等离子体发光分析

端点检测与等离子体发光分析在蚀刻、氧化扩散薄膜沉积和溅射等多种半导体制造过程中发挥着关键作用。利用光监测等离子气体的变化，从而深入了解化学反应和表面改性情况，实现过程优化。

这些是全球仅有的采用以下方法的光源：在充满氙气的灯泡中，在放电电极之间用聚焦激光光束产生等离子体，以此维持发射。与传统的氙灯相比，这些光源在紫外区域提供更亮的强光，并具有寿命长、发射点小等特点。

此类脉冲光源具有高瞬时峰值功率。凭借光源从紫外到红外区域的连续光谱，从分析到成像，有望实现宽范围的用途。

这种高灵敏度探测器用于各种缺陷检查、终点监测及其他用途。将其与高速磷光体和闪烁体相结合，可检测到光电二极管无法探测到的微弱电子光束，从而可用于扫描电子显微镜 (SEM) 及其他用途。

这款 FFT-CCD 面阵图像传感器专为测量用途开发，适用于微弱光探测。该图像传感器具有低噪声、低暗电流和宽动态范围，通过延长积分时间实现微弱光探测。

这些探测器采用我们独特的晶体技术，在 5 μm、8 μm 和 10 μm 波长范围内实现了高灵敏度。这些探测器响应速度快，可与量子级联激光器 (QCL) 结合用于红外测量。

这款紧凑型光谱仪将光学系统、图像传感器和电路紧凑集于一体。其波长覆盖范围广，从紫外到近红外区域均可覆盖。

该设备可在过程中连续测量等离子体发射。可用于蚀刻终点检测、等离子体状态监测等。

此类光源非常适合用于可调谐二极管激光吸收光谱 (TDLAS)。可实现高通量的连续气体测量。

采用终点检测、等离子体发光分析的半导体制程

在蚀刻过程中进行终点检测和等离子体发光分析，可实现对气体成分和表面反应等参数的实时监测，确保对半导体结构的深度和图案进行精准控制，进而有助于以准确高效的方式生产高性能器件。

在氧化扩散薄膜沉积过程中进行终点检测和等离子体发光分析，可通过监测工艺参数及提供表面化学反应的实时洞察，确保对沉积过程进行精准控制，从而制造出性能和可靠性俱佳的半导体器件。

在溅射过程中采用终点检测和等离子体发光分析，可监测关键参数，实现对材料沉积和表面相互作用的实时评估。此类技术确保对溅射过程进行精准控制，有助于生产出具有精准薄膜涂层和卓越性能的半导体器件。