厚度测量

半导体制造中的精度:晶圆研磨和平面化过程中厚度测量的重要性

在半导体行业中,厚度测量在晶圆研磨和晶圆平面化过程中起着至关重要的作用。在晶圆研磨过程中,需去除多余材料以达到所需厚度。精准的厚度测量可确保整个晶圆表面的精度和均匀性。这对于保持积分电路电学和机械性能的一致性至关重要。另一方面,晶圆平面化涉及在各种制造步骤后对晶圆表面进行平滑处理。平面化过程中精准的厚度测量可确保晶圆达到所需的平整度,尽量减少表面不规则性,提升芯片整体性能。采用光学干涉测量法和其他非破坏性方法等先进计量技术,可高精度测量晶圆厚度,助力快速发展的技术领域中半导体器件的质量和可靠性。

用于精准控制光刻胶厚度的椭圆偏振术

在光刻胶过程中使用椭圆偏振术,可确保对层厚度的精准控制。激光器将偏振光发射到晶圆的光刻胶上,椭圆偏振术分析反射光偏振状态的变化。这种非破坏性技术可实现实时监测和原位薄膜厚度控制,能够准确测量光刻胶厚度。所得数据有助于实现整个晶圆的均匀性,优化后续图案化步骤和整体工艺性能。

薄膜处理中的光子学:蚀刻、氧化和溅射过程中的精准测量技术

光可用于执行非接触式原位膜厚测定。这些技术能够处理大范围的薄膜厚度以及使用高发光短波长光处理的超薄膜。

通过厚度测量实现精准控制:提升半导体晶圆在制造、后端处理和切割过程的质量

在晶圆切割末期进行厚度测量,对于验证减薄后的晶圆是否符合指定要求至关重要,之后晶圆将被切割成单个芯片。光传感器、激光位移传感器和非接触式方法有助于精准确保晶圆厚度的均匀性,从而影响所得半导体器件的可靠性和功能性。

推荐产品

可实现薄膜的非接触式实时厚度测量。该设备实现了小型化设计,便于安装到设备中。

可实现薄膜的非接触式实时厚度测量。该设备实现了小型化设计,便于安装到设备中。 

这是全球仅有的采用以下方法的光源:在充满氙气的灯泡中,在放电电极之间用聚焦激光光束产生等离子体,以此维持发光。与传统的氙气灯相比,该光源点发射亮度更高,寿命更长。

此类紧凑型光谱仪将光学系统、图像传感器和电路集于一体,覆盖了从紫外到近红外区域的宽范围波长。

滨松提供高灵敏度、低噪声的 InGaAs 图像传感器,多种截止波长从 1.7μm 至 2.5μm 不等。

 根据波长和用途,提供多种产品,包括在紫外和近红外区域具有高灵敏度的类型以及具有高抗紫外线辐射能力的类型。

采用厚度测量的半导体制程

晶圆研磨依赖厚度测量来实现精准的晶圆减薄。精准监测可确保均匀去除材料,防止过度研磨,并保持后续半导体制程所需的厚度,从而提升器件整体性能。

在晶圆平面化过程中进行厚度测量,可确保材料均匀去除,提升半导体晶圆的平整度。精准监控可指导平面化过程,优化晶圆形貌,以便进行后续层沉积,从而提升器件整体性能。

光刻胶涂覆中的厚度测量可确保均匀性,以便在光刻过程中实现更佳图案转移。精准测量对于控制光学特性、指导后续蚀刻过程以及整体工艺优化至关重要,可提高半导体器件制造的良品率并减少缺陷。

在蚀刻过程中进行厚度测量,可监测和控制蚀刻过程。

在氧化和扩散薄膜沉积过程中进行厚度测量,可确保精准控制薄膜厚度,通过监测和调整沉积过程,优化电子器件的性能和可靠性。

溅射过程中的厚度测量对于实现均匀涂层和符合设计规范至关重要。光谱椭圆偏振术和干涉测量法等技术可实时监测薄膜厚度,实现对沉积参数的精准控制,并确保薄膜在半导体器件制造等用途中的功能性。

离子注入过程中的厚度测量对于确保精准控制掺杂分布和保持材料完整性至关重要。它可确定目标层的厚度,以便准确进行离子穿透,提供有关注入参数的反馈,并验证整个晶圆的均匀性。注入后的检查可确认未发生过度减薄,确保器件的性能和可靠性。椭圆偏振术、X 射线反射测量法和干涉测量法等技术可提供精准、无损的厚度测量,这对于半导体制造中的质量控制至关重要。

厚度测量是半导体晶圆检查中不可或缺的一环,可确保均匀性,从而生产出高品质的积分电路,并在电子器件中实现更佳性能。

在晶圆研磨后端过程中减薄晶圆,对于提升器件性能和减少散热至关重要。通过机械研磨或化学机械抛光 (CMP) 等方法可确保减薄过程的精度,其中触针式分析器或光传感器等精准的厚度测量工具发挥着关键作用。这些工具可确保均匀性,从而控制整个半导体基板在减薄过程中始终获得所需的晶圆厚度。

在晶圆切割阶段,经过减薄处理后,晶圆被分割成单个芯片,每个芯片都将成为一个独立的半导体器件。保持一致的厚度对于实现所得积分电路 (IC) 的均匀性至关重要。为确保符合规格要求,通常在减薄后和切割前进行厚度测量,采用光传感器、激光位移传感器或其他非接触式方法等精准工具来准确测量晶圆厚度。

请联系我们获取更多信息。

联系我们