晶圆研磨后端

该过程使用砂轮研磨晶圆,以减薄晶圆。

晶圆研磨后端过程在前端半导体制造之后进行,使用专用研磨机和 CMP 设备减薄晶圆。在线计量确保厚度公差。减薄后,清洁晶圆以去除残留物,再将其安装在临时载体上,以进行背面金属化和介电沉积等过程,然后将其切割成单个芯片。持续的质量控制,包括缺陷检查和在线计量,确保半导体器件的可靠性。

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半导体制造中的常见过程步骤

静电电荷消除 (ESD)

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厚度测量

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晶圆对准

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