离子注入

该过程将离子注入晶圆以改变其特性。

离子注入是一种在半导体制造中至关重要且高度可控制的过程，用于将特定的掺杂原子引入半导体衬底（通常是硅晶圆）。在此方法中，高能离子（通常是硼、磷或砷）会被加速并导向半导体表面。当这些离子穿透材料时，它们会嵌入晶格中，从而改变半导体的电气性能。离子注入工艺能够精准控制掺杂浓度和深度，从而创建具有所需电气特性的特定领域，这对于开发晶体管和其他半导体器件至关重要。

离子注入的用途广泛，从改变硅的导电性到在积分电路中创建 p-n 结。通过将杂质离子策略性地注入半导体材料中，制造商可以定制电气性能，以满足特定器件功能的需求。离子注入是整个半导体制造过程中的一个关键步骤，有助于创建高度积分且性能优化的电子元件，这些元件构成了现代技术的支柱。

半导体制造中的常见过程步骤

厚度测量

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端点检测，等离子体发光分析

了解我们在半导体制造端点检测和等离子体发光分析方面的前沿解决方案。探索先进技术，这些技术可实现实时监测，确保蚀刻、氧化扩散薄膜沉积和溅射等过程的精度和控制。

静电电荷消除 (ESD)

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晶圆对准

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粒子污染和表面缺陷检查

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