光掩模制造

该过程创建一个原始板，用于将设计好的图案转移到晶圆上。在此介绍我们在光掩模创建过程中使用的产品。

光掩模（光罩）检查
空白掩模检查
图案掩模检查
缺陷检查
半导体制造中的常见过程步骤

光掩模制造是半导体生产的一个关键环节，涉及创建精准图案，这些图案随后在光刻工艺中转移到半导体晶圆上。光掩模本质上是一种高精度模板，承载着详细的电路设计，作为在晶圆上创建微观特点的模板。制造过程始于从电路或图案设计阶段获得的设计数据。光掩模的质量和精度至关重要，因为光掩模上的任何缺陷或误差都会直接影响终半导体器件的性能。制造完成后，光掩模会经过全面的检查和验证流程，以确保其符合严格标准。

光掩模（光罩）检查

光掩模检查的主要目的在于验证光掩模的完整性，包括空白掩模质量、电路图案的精度、无缺陷以及整体质量。以下介绍的检查方法常用于当前生产环境，包括光学检查、电子光束检查、复检站、缺陷分类、修复与验证以及掩模计量。检查过程主要包括两个子过程：空白掩模检查和图案掩模检查。

空白掩模检查

空白掩模检查确保这些基板无可能导致终半导体器件出现错误的缺陷或瑕疵。空白掩模检查的主要目的是识别并消除掩模上可能在光刻工艺中转移到晶圆上的任何缺陷或污染物。掩模上的缺陷可能导致半导体器件出现缺陷或无法正常工作。空白掩模缺陷可能包括粒子、针孔、划痕和污染。

图案掩模检查

一旦通过一系列光刻步骤将电路图案添加到掩模上，图案化掩模将接受单独的检查过程。此阶段涉及评估掩模上蚀刻或沉积图案的精度和准确性。图案掩模检查确保预期的电路设计在掩模上得到忠实呈现，重点识别图案偏移、缺失特点或任何可能影响半导体制造过程质量的缺陷。

推荐产品

EQ-10R 无电极 Z-Pinch™ 10 瓦 EUV 光源

EQ-10 产生用于 EUV 光化掩模检查的 13.5nm EUV 光。专利无电极 Z-pinch 技术可提供稳定、低碎屑、紧凑且经济高效的 EUV 光。

CCD/CMOS/NMOS 图像传感器

图像传感器在光掩模质量控制中发挥关键作用。它们用于光掩模检查、缺陷检测、对准和套刻测量，确保半导体晶圆上的图案精准且无缺陷。

缺陷检查

该设备检查光掩模上的异物和图案缺陷等。X 射线源和 X 射线相机可实现对微小异物和微缺陷的无损、非接触式检查。

推荐产品

微焦点 X 射线源

这些是用于 X 射线非破坏性检查的微焦点 X 射线源。微焦点即使在高几何放大率下也能获取高清晰度、低模糊的 X 射线图像。

光电倍增管 R14755U-100

这种高灵敏度探测器用于各种缺陷检查、终点监测及其他用途。将其与高速磷光体和闪烁体相结合，可检测到光电二极管无法探测到的微弱电子光束，从而可用于扫描电子显微镜 (SEM) 及其他用途。

TDI 相机

此类相机采用“时间延迟积分 (TDI)”方法，这是 CCD 的一种特殊读出方法。高速与高灵敏度的结合，通过对被传输的被检查物体的移动进行图像积分，实现清晰成像。

半导体制造中的常见过程步骤

静电电荷消除 (ESD)

探索滨松精心设计的静电电荷消除解决方案，旨在提高各种处理的可靠性。我们的技术可高效去除可能损坏晶圆的电荷，确保高质量处理。