晶圆研磨

半导体晶圆研磨过程是积分电路 (IC) 和其他半导体器件制造中的一个关键步骤。该过程涉及去除半导体晶圆表面的多余材料,以达到所需的厚度、平整度和表面质量。 

晶圆研磨是半导体制造中的一个关键过程,专门设计用于减薄半导体晶圆,以达到所需的厚度、平整度和表面质量。采用磨料砂轮仔细去除晶圆背面多余的材料,确保均匀且可控制的材料去除。精度至关重要,一些先进系统/仪器采用过程测量技术实时监测和调节晶圆厚度。研磨后,可能进行终抛光步骤,以提升晶圆表面光洁度,并消除研磨过程中引入的任何残留缺陷。晶圆研磨尤为重要,其精度在决定终半导体产品的整体质量、性能和可靠性方面发挥着基础性作用。

裸晶圆检查

检查晶圆上的粒子、凹坑、凸起、划痕、污渍、污染物和其他可能导致故障的缺陷。使用扫描电子显微镜 (SEM) 复查缺陷。使用与紫外线、红外线、X 射线和电子光束等各种波长范围兼容的感光和发光器件,可实现对亚微米粒子和微缺陷的无损、非接触式检查。总体而言,裸晶圆检查在维持质量、优化过程和降低成本方面发挥着关键作用,可防止生产有缺陷的半导体器件并减少材料浪费。

推荐产品

这些是用于 X 射线非破坏性检查的微焦点 X 射线源。微焦点即使在高几何放大率下也能获取高清晰度的 X 射线图像。

光电倍增管广泛应用于半导体晶圆检查系统/仪器。在晶圆检查中,激光光束对晶圆进行扫描,由光电倍增管检测污垢或缺陷引起的散射光。  

下列光电倍增管因其高量子效率、良好的均匀性和低尖峰噪声而被推荐。

R3896

R9880U-01

R9880U-20

R9880U-113

R14755U-100

根据波长和用途,提供多种产品,包括在紫外和/或近红外区域具有高灵敏度的类型以及具有高抗紫外线辐射能力的类型。

这些是全球仅有的采用以下方法的光源:在充满氙气的灯泡中,在放电电极之间用聚焦激光光束产生等离子体,以此维持发射。与传统的氙灯相比,这些光源在紫外区域提供更亮的强光,并具有寿命长、发射点小等特点。

滨松的 InGaAs 相机凭借其高灵敏度和用户友好的设计提升了 SWIR 检查能力。我们提供从线扫描到高分辨率面阵成像等多种选择,可满足从注重成本到高性能的各种需求。

光谱反射测量法

光谱反射测量法在确保半导体晶圆研磨至所需厚度和质量方面发挥着关键作用,这对于积分电路和其他半导体器件的生产至关重要。该方法可进行实时测量和控制,帮助半导体制造商实现精准且一致的结果。

推荐产品

OPAL-Luxe 可用于半导体制造过程中的晶圆研磨或 CMP 步骤中的光谱反射测量。

半导体制造中的常见过程步骤

厚度测量

借助滨松的厚度测量解决方案,优化材料分析的精度。探索我们专为各种材料的准确可靠厚度测量而设计的技术,了解我们如何通过先进的测量能力为行业提供帮助,确保您的用途实现卓越的质量和性能。

静电电荷消除 (ESD)

探索滨松精心设计的静电电荷消除解决方案,旨在提高各种处理的可靠性。我们的技术可高效去除可能损坏晶圆的电荷,确保高质量处理。

晶圆对准

借助滨松的晶圆对准解决方案提升半导体制造水平。我们的技术专为精准的晶圆定位而设计,可提高半导体生产的效率和良品率。了解我们如何助力晶圆对准,为您的半导体制程需求提供无与伦比的可靠性和性能。

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