蚀刻

蚀刻用于在制造过程中从晶圆表面化学去除层，是微制造过程之一。

蚀刻是一个关键的半导体制造过程，用于从半导体晶圆上选择性去除材料，创建精准的图案和结构。该过程在光刻过程之后进行，光刻过程使用光敏光刻胶在晶圆表面创建图案化掩模。蚀刻可分为湿法蚀刻和干法蚀刻。在湿法蚀刻中，将晶圆浸入液体化学溶液中，该溶液选择性去除晶圆上暴露或未受保护的区域，留下所需的图案。干法蚀刻涉及在真空室中使用反应性气体，这些气体与晶圆上的暴露区域发生化学反应并去除材料，可实现高度可控制和精准的蚀刻。

湿法蚀刻和干法蚀刻的选择取决于材料、所需图案复杂性和整体制造要求等系数。蚀刻是定义半导体器件（如晶体管和互连）精细特征的关键步骤。蚀刻通过根据早期设计和图案化阶段所规定的规格对半导体材料进行塑形，对终半导体产品的整体精度和功能做出了重大贡献。

半导体制造中的常见过程步骤

端点检测，等离子体发光分析

了解我们在半导体制造端点检测和等离子体发光分析方面的前沿解决方案。探索先进技术，这些技术可实现实时监测，确保蚀刻、氧化扩散薄膜沉积和溅射等过程的精度和控制。

静电电荷消除 (ESD)

探索滨松精心设计的静电电荷消除解决方案，旨在提高各种处理的可靠性。我们的技术可高效去除可能损坏晶圆的电荷，确保高质量处理。

光学关键尺寸 (OCD) 测量

借助滨松的光学关键尺寸 (OCD) 测量解决方案，解锁半导体制造中无与伦比的精度。探索我们专为纳米级结构关键尺寸的准确可靠测量而定制的先进技术。了解滨松如何重塑 OCD 测量格局，为半导体制造过程提供前沿解决方案，实现卓越的质量和性能。

厚度测量

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在线湿法工艺浓度监测

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晶圆对准

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粒子污染和表面缺陷检查

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