粒子污染和表面缺陷检查

在关键过程中实现缺陷检查的精准照明

可见光和近红外相机用于对半导体制程的许多过程步骤中的微小异物和微缺陷进行无损、非接触式检查。

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这款 APS 型 CMOS 面阵图像传感器在近红外区域具有高灵敏度。像素格式为 SXGA(1280 x 1024 像素),能够以高达 146 帧/秒的速度进行成像。

这款 TDI-CCD 即使在低光照条件下(例如高速成像时),也能提供辉度充足的图像。TDI 操作通过对运动物体进行积分曝光,可显著提高灵敏度。

这款相机在近红外区域具有灵敏度。这款相机可通过透射成像对内部结构进行成像,从而检查缺陷和空隙。

此类光源在紫外区域具有高输出和高稳定性。此类光源在紫外区域具有连续光谱,并且具备分析仪器用灯所需的长寿命、高稳定性和高输出。

此类光源从紫外到红外区域具有连续光谱,且辉度高、色温高。此类光源采用了我们独特的高性能阴极,被广泛用作精密光度灯。

此类脉冲光源具有高瞬时峰值功率。凭借光源从紫外到红外区域的连续光谱,从分析到成像,可实现宽范围的用途。

光电倍增管广泛应用于半导体晶圆检查系统/仪器。在晶圆检查中,激光光束对晶圆进行扫描,由光电倍增管检测污垢或缺陷引起的散射光。  

这些是全球仅有的采用以下方法的光源:在充满氙气的灯泡中,在放电电极之间用聚焦激光光束产生等离子体,以此维持发射。与传统的氙灯相比,这些光源在紫外区域提供更亮的强光,并具有寿命长、发射点小等特点。

涉及缺陷检查的半导体制程

缺陷检查可为调整和改进晶圆清洗过程提供反馈。无损、非接触式检查可确保晶圆在检测过程中不受损坏。

可在任意数量的光刻胶涂覆步骤之间进行缺陷检查,以确保涂层质量并尽量减少缺陷。无损、非接触式检查可确保晶圆在检测过程中不受损坏。

也可在光刻过程后进行缺陷检查,确保半导体层的完整性和质量。无损、非接触式检查可确保晶圆在检测过程中不受损坏。

缺陷检查还可用于蚀刻过程前后。光子学通过揭示表面形貌变化并提供高分辨率成像,确保了全面的检查过程,有助于实现可靠的半导体生产。

在半导体制造过程中,光在分析层一致性、检测粒子污染和识别表面缺陷方面发挥着至关重要的作用。光子学通过增强缺陷可见性,确保了在氧化扩散过程中进行全面检测,有助于提高半导体生产的整体质量和可靠性。

在半导体生产过程中,光可增强缺陷可见性,以便对粒子污染和表面缺陷进行全面分析。该过程还可提高表面分辨率,并在光子学的辅助下,实现对缺陷的精准检测,特别是在半导体制造过程中粒子污染的不规则情况。

光有助于识别离子注入引起的损害和缺陷,确保在半导体制造过程中对粒子污染和表面不规则情况进行全面检测。

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