氧化扩散薄膜沉积

该过程在基板上形成一层薄膜,如绝缘薄膜。

在此介绍我们在氧化、扩散和薄膜形成过程中使用的产品。

氧化扩散薄膜沉积是半导体制造中的一个关键过程,涉及通过可控制的氧化在半导体晶圆上生长一层薄氧化层。该过程旨在改变半导体材料的电气性能,通常在氧化过程中或之后引入杂质,以实现特定的导电特性。该方法对于在半导体器件中创建必要的绝缘层和导电层至关重要,有助于形成复杂的电路,并确保最终电子元件的功能和性能。后续步骤通常包括退火,这是一种热处理工艺,用于激活掺杂剂并增强半导体材料的整体结构和电气性能。

退火

在半导体制造过程中,退火是氧化和扩散薄膜沉积中的一个关键步骤。该热处理涉及加热晶圆以改善晶格缺陷等特性。快速热退火 (RTA) 和激光退火等技术分别利用红外线和紫外线激光实现快速加热和再结晶。此类方法在提升晶圆良品率、确保半导体材料完整性以及优化复杂半导体器件的电气特性方面发挥着关键作用。

推荐产品

这些是波长在中红外(4 至 10 µm)范围内的半导体激光器。此类激光器在物质因分子振动而吸收率大的波长范围振荡,能够利用物质特定的吸收波长进行选择性加热。

这些探测器采用我们独特的晶体技术,在 5 μm、8 μm 和 10 μm 波长范围内实现了高灵敏度。这些探测器响应速度快,可与量子级联激光器 (QCL) 结合用于红外测量。

半导体制造中的常见过程步骤

端点检测,等离子体发光分析

了解我们在半导体制造端点检测和等离子体发光分析方面的前沿解决方案。探索先进技术,这些技术可实现实时监测,确保蚀刻、氧化扩散薄膜沉积和溅射等过程的精度和控制。

在线湿法工艺浓度监测

借助滨松的在线湿法工艺浓度监测解决方案,提升半导体制造效率。探索我们专为实时、准确监测湿法工艺中的化学浓度而设计的先进技术。了解滨松如何革新在线监测技术,确保对化学过程进行精准控制和优化,以实现卓越的半导体生产。

厚度测量

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静电电荷消除 (ESD)

探索滨松精心设计的静电电荷消除解决方案,旨在提高各种处理的可靠性。我们的技术可高效去除可能损坏晶圆的电荷,确保高质量处理。

晶圆对准

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粒子污染和表面缺陷检查

借助滨松先进的晶圆污染检查解决方案,确保半导体生产纯净无瑕。探索我们精心打造的精明技术,用于精准检测污染物,保护半导体晶圆免受杂质污染。了解滨松在晶圆检查领域的专业知识如何为半导体制造过程树立可靠性和质量标准。

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