晶圆切割

该过程将晶圆切割成单独的芯片。

在半导体制造中,晶圆切割将单个半导体晶圆分割成独立的片,即裸片或芯片。该过程对于将大型、统一处理的晶圆转变为能够作为独立电子设备运行的离散单元至关重要。切割通常在完成光刻和蚀刻等前端过程后进行,此时半导体器件已在晶圆表面形成。

隐形切割

隐形切割技术以其创新方法革新了激光切割,提供了一种完全干燥的工艺,无切缝损失、无崩边,且具有高弯曲强度。该技术通过聚焦一种能够穿透材料的特定波长激光光束,在晶圆内部形成裂纹起始点(即“SD层”),然后施加外力使其分离。该过程主要由两个部分组成,即形成 SD 层以使晶圆内部破裂的“激光辐照过程”以及用于分离晶圆的“膨胀过程”。

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该切割技术利用激光进行内部加工,以高速、高质量切割晶圆。例如,通过实现非接触式、完全干燥的过程,解决了刀片切割的问题。

此类反射空间光相位调制器可自由调制光相位。用途包括光束图案成型和像差校正。

切割胶带剥离

切割胶带剥离在晶圆切割之后进行,用于去除将单个裸片粘合在一起的胶带。专用机器小心剥离胶带,以避免损坏精密的半导体结构。剥离后的清洁至关重要,还需额外处理去除残留的粘合剂。高度均匀的紫外辐照可实现高质量的切割胶带去除。

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这种 UV-LED 光源为高功率直线性辐照型,配备独特的空气制冷系统/仪器。我们独特的光学系统通过高度均匀的紫外辐照实现高质量的切割胶带去除。

这种点激光光源可靠性极高,可通过外部控制信号轻松控制。激光光源的波长位于加热所需的红外区。

半导体制造中的常见过程步骤

静电电荷消除 (ESD)

探索滨松精心设计的静电电荷消除解决方案,旨在提高各种处理的可靠性。我们的技术可高效去除可能损坏晶圆的电荷,确保高质量处理。

厚度测量

借助滨松的厚度测量解决方案,优化材料分析的精度。探索我们专为各种材料的准确可靠厚度测量而设计的技术,了解我们如何通过先进的测量能力为行业提供帮助,确保您的用途实现卓越的质量和性能。

晶圆对准

借助滨松的晶圆对准解决方案提升半导体制造水平。我们的技术专为精准的晶圆定位而设计,可提高半导体生产的效率和良品率。了解我们如何助力晶圆对准,为您的半导体制程需求提供无与伦比的可靠性和性能。

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